2023-12-14
1. Силан (SiH4): токсичен. Силан в основном используется в полупроводниковой промышленности для производства поликремния высокой чистоты, пленок диоксида кремния, пленок нитрида кремния, изоляционных слоев поликремния, омических контактных слоев поликремния, а также гетерогенного или гомогенного кремниевого эпитаксиального сырья для выращивания методом осаждения из паровой фазы, а также источников ионной имплантации и лазера. носители и т. д., а также могут использоваться для изготовления солнечных элементов, оптических волокон и фотоэлектрических датчиков.
2. Герман (GeH4): высокотоксичен. Металлический германий является хорошим полупроводниковым материалом.В электронной промышленности герман в основном используется для химического осаждения из паровой фазы для формирования различных кремний-германиевых сплавов для изготовления электронных компонентов.
3. Фосфан (PH3): высокотоксичен. В основном используется в качестве легирующей добавки для силановой эпитаксии и источника примесей для диффузии фосфора. Он также используется при химическом осаждении поликремния из паровой фазы, эпитаксиальных материалах GaP, процессах ионной имплантации, процессах MOCVD составных полупроводников, приготовлении пассивирующей пленки из фосфоросиликатного стекла (PSG) и других процессах.
4. Арсенан (AsH3): высокотоксичен. В основном используется в качестве легирующей присадки n-типа в процессах эпитаксии и ионной имплантации.
5. Гидрид сурьмы (SbH3): высокотоксичен. Используется в качестве легирующей присадки в газовой фазе при производстве кремниевых полупроводников n-типа.
6. Диборан (B2H6): высокотоксичный газ, удушающий запах. Боран является источником газообразных примесей, легирующей примесью для ионной имплантации и окислительно-диффузионного легирования бором, а также используется в качестве высокоэнергетического топлива для ракет и ракет.
7. Трифторид бора (BF3): токсичен и чрезвычайно раздражает. В основном используется в качестве легирующей примеси P-типа, источника ионной имплантации и газа плазменного травления.
8. Трифторид азота (NF3): высокотоксичен. В основном используется для очистки оборудования химического осаждения из паровой фазы (CVD). Трифторид азота может использоваться отдельно или в сочетании с другими газами в качестве травильных газов в плазменных процессах.Например, NF3, NF3/Ar и NF3/He используются для травления соединений кремния MoSi2; NF3/CCl4 и NF3/HCl используются оба. для травления соединений кремния MoSi2. Травление MoSi2 применяется также для травления NbSi2.
9. Трифторид фосфора (PF3): чрезвычайно токсичен. В качестве источника имплантации газообразных ионов фосфора.
10. Тетрафторид кремния (SiF4): при воздействии воды образует высококоррозионную кремнефтористоводородную кислоту. В основном он используется в качестве сырья для плазменного травления нитрида кремния (Si3N4) и силицида тантала (TaSi2), легирования светодиодов P-типа, процессов ионной имплантации, источников кремния для эпитаксиального осаждения и диффузии, а также получения материалов высокой чистоты. кварцевое стекло для оптических волокон.
11. Пентафторид фосфора (PF5): во влажном воздухе выделяет токсичный дым фтористого водорода. Используется в качестве источника имплантации газообразных ионов фосфора.
12. Тетрафторид углерода (CF4). В качестве рабочего газа, обычно используемого в процессах плазменного травления, он является плазменным травителем диоксида кремния и нитрида кремния.
13. Гексафторэтан (C2H6): используется в качестве сухого газа для травления кремнезема и фосфоросиликатного стекла в плазменных процессах.
14. Перфторпропан (C3F8). В процессе плазменного травления он используется в качестве газа для травления пленок диоксида кремния и пленок фосфоросиликатного стекла.
